STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Nr. stoc RS: 168-5902Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STW56N60DM2
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Tip pachet

TO-247

Serie

MDmesh DM2

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Maximum Power Dissipation Pd

360W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Forward Voltage Vf

-5.5V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Lungime

15.75mm

Latime

5.15 mm

Inaltime

20.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 218,70

€ 7,29 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 264,63

€ 8,821 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

€ 218,70

€ 7,29 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 264,63

€ 8,821 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Tip pachet

TO-247

Serie

MDmesh DM2

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Maximum Power Dissipation Pd

360W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Forward Voltage Vf

-5.5V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Lungime

15.75mm

Latime

5.15 mm

Inaltime

20.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe