Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Tip pachet
TO-220
Series
STripFET II
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
14mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Temperatura minima de lucru
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
9.15mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 12,15
€ 2,43 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 14,70
€ 2,94 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 12,15
€ 2,43 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 14,70
€ 2,94 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,43 | € 12,15 |
| 50 - 245 | € 1,40 | € 7,00 |
| 250 - 495 | € 0,98 | € 4,90 |
| 500+ | € 0,75 | € 3,75 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Tip pachet
TO-220
Series
STripFET II
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
14mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Temperatura minima de lucru
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
9.15mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
