STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP100N6F7

Nr. stoc RS: 906-4680Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STP100N6F7
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TO-220

Serie

STripFET F7

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.4mm

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

9.15mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 9,40

€ 0,94 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 11,37

€ 1,137 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP100N6F7
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 9,40
20€ 18,80
30€ 28,20
40€ 37,60
50€ 47,00
60€ 56,40
70€ 65,80
80€ 75,20
90€ 84,60
100€ 94,00
110€ 103,40
120€ 112,80
130€ 122,20
140€ 131,60
150€ 141,00

€ 9,40

€ 0,94 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 11,37

€ 1,137 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP100N6F7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 9,40
20€ 18,80
30€ 28,20
40€ 37,60
50€ 47,00
60€ 56,40
70€ 65,80
80€ 75,20
90€ 84,60
100€ 94,00
110€ 103,40
120€ 112,80
130€ 122,20
140€ 131,60
150€ 141,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TO-220

Serie

STripFET F7

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.4mm

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

9.15mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe