Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK
Series
STripFET H7
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
4.8mm
Lungime
15.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 79,40
€ 3,97 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 96,07
€ 4,804 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
€ 79,40
€ 3,97 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 96,07
€ 4,804 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
20
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,97 | € 7,94 |
| 100 - 198 | € 3,84 | € 7,68 |
| 200+ | € 3,56 | € 7,12 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK
Series
STripFET H7
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
4.8mm
Lungime
15.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
