Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Tip pachet
H2PAK
Series
STripFET H7
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
193nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
4.8mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 9,60
€ 4,80 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 11,62
€ 5,808 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 9,60
€ 4,80 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 11,62
€ 5,808 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
2
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 4,80 | € 9,60 |
| 20 - 98 | € 4,14 | € 8,28 |
| 100 - 198 | € 3,66 | € 7,32 |
| 200+ | € 3,12 | € 6,24 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Tip pachet
H2PAK
Series
STripFET H7
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
193nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
4.8mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
