Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
4.8mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 7,74
€ 3,87 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 9,37
€ 4,683 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
€ 7,74
€ 3,87 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 9,37
€ 4,683 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,87 | € 7,74 |
| 20 - 98 | € 3,34 | € 6,68 |
| 100 - 198 | € 2,95 | € 5,90 |
| 200+ | € 2,51 | € 5,02 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
4.8mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
