STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 15 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
15A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Tip pachet
TO-220
Series
SiC MOSFET
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
330mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.7nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
4.6 mm
Inaltime
16mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 204,50
€ 4,09 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 247,44
€ 4,949 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 204,50
€ 4,09 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 247,44
€ 4,949 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
15A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Tip pachet
TO-220
Series
SiC MOSFET
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
330mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.7nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
4.6 mm
Inaltime
16mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse