STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin ISOTOP STE40NC60
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tip pachet
ISOTOP
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
460 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
25.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
38.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
307.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.1mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 331,80
€ 33,18 Each (In a Tube of 10) (fara TVA)
€ 401,48
€ 40,148 Each (In a Tube of 10) (cu TVA)
10
€ 331,80
€ 33,18 Each (In a Tube of 10) (fara TVA)
€ 401,48
€ 40,148 Each (In a Tube of 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
10
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 33,18 | € 331,80 |
| 50 - 90 | € 31,39 | € 313,90 |
| 100 - 190 | € 27,41 | € 274,10 |
| 200 - 490 | € 25,33 | € 253,30 |
| 500+ | € 23,30 | € 233,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tip pachet
ISOTOP
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
460 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
25.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
38.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
307.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.1mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse