STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25N10F7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
25A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET H7
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
35mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Latime
6.2 mm
Inaltime
2.4mm
Lungime
6.6mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 7,60
€ 1,52 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,20
€ 1,839 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 7,60
€ 1,52 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,20
€ 1,839 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,52 | € 7,60 |
| 25 - 45 | € 1,43 | € 7,15 |
| 50 - 120 | € 1,28 | € 6,40 |
| 125 - 245 | € 1,14 | € 5,70 |
| 250+ | € 1,07 | € 5,35 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
25A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET H7
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
35mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Latime
6.2 mm
Inaltime
2.4mm
Lungime
6.6mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse