Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
17A
Maximum Drain Source Voltage Vds
250V
Tip pachet
TO-252
Series
STripFET II
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
165mΩ
Channel Mode
Enhancement
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Forward Voltage Vf
1.6V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Inaltime
2.4mm
Lungime
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 75,50
€ 1,51 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 91,36
€ 1,827 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 75,50
€ 1,51 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 91,36
€ 1,827 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,51 | € 7,55 |
| 250 - 495 | € 1,14 | € 5,70 |
| 500+ | € 1,00 | € 5,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
17A
Maximum Drain Source Voltage Vds
250V
Tip pachet
TO-252
Series
STripFET II
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
165mΩ
Channel Mode
Enhancement
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Forward Voltage Vf
1.6V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Inaltime
2.4mm
Lungime
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
