STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Nr. stoc RS: 165-5377Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STD13N65M2
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

TO-252

Serie

MDmesh M2

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

430mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

6.2 mm

Inaltime

2.4mm

Lungime

6.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Detalii produs

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 2.200,00

€ 0,88 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 2.662,00

€ 1,065 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252

€ 2.200,00

€ 0,88 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 2.662,00

€ 1,065 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

TO-252

Serie

MDmesh M2

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

430mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

6.2 mm

Inaltime

2.4mm

Lungime

6.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Detalii produs

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe