STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-252
Serie
STripFET H7
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Lungime
6.6mm
Standards/Approvals
No
Latime
6.2 mm
Inaltime
2.4mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 3.350,00
€ 1,34 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 4.053,50
€ 1,621 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 3.350,00
€ 1,34 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 4.053,50
€ 1,621 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2500
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-252
Serie
STripFET H7
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Lungime
6.6mm
Standards/Approvals
No
Latime
6.2 mm
Inaltime
2.4mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse