STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M2

Nr. stoc RS: 792-5707Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STB18N60M2
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Tip pachet

TO-263

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Lungime

10.4mm

Latime

9.35 mm

Inaltime

4.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 8,80

€ 1,76 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,65

€ 2,13 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M2
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,80

€ 1,76 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,65

€ 2,13 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M2

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Tip pachet

TO-263

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Lungime

10.4mm

Latime

9.35 mm

Inaltime

4.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe