STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Tip pachet
TO-263
Serie
MDmesh DM2
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Temperatura maxima de lucru
150°C
Lungime
9.35mm
Standards/Approvals
No
Latime
10.4 mm
Inaltime
4.6mm
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 1.380,00
€ 1,38 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.669,80
€ 1,67 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 1.380,00
€ 1,38 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.669,80
€ 1,67 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Tip pachet
TO-263
Serie
MDmesh DM2
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Temperatura maxima de lucru
150°C
Lungime
9.35mm
Standards/Approvals
No
Latime
10.4 mm
Inaltime
4.6mm
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse