STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB160N75F3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Series
STripFET
Tip pachet
TO-263
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
330W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
85nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Latime
10.4 mm
Inaltime
4.6mm
Lungime
10.75mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 3,81
€ 3,81 Buc. (fara TVA)
€ 4,61
€ 4,61 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 3,81
€ 3,81 Buc. (fara TVA)
€ 4,61
€ 4,61 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Series
STripFET
Tip pachet
TO-263
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
330W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
85nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Latime
10.4 mm
Inaltime
4.6mm
Lungime
10.75mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse