Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
4.8mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 66,80
€ 3,34 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 80,83
€ 4,041 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
€ 66,80
€ 3,34 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 80,83
€ 4,041 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
20
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,34 | € 6,68 |
| 100 - 198 | € 2,95 | € 5,90 |
| 200+ | € 2,51 | € 5,02 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
4.8mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
