Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-252
Series
STripFET H7
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
2.4mm
Lungime
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 90,50
€ 1,81 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 109,50
€ 2,19 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 90,50
€ 1,81 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 109,50
€ 2,19 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,81 | € 9,05 |
| 250 - 495 | € 1,74 | € 8,70 |
| 500+ | € 1,50 | € 7,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-252
Series
STripFET H7
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
2.4mm
Lungime
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
