STMicroelectronics Type N-Channel SiC Power Module, 55 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH50N120-7

Name: STMicroelectronics Type N-Channel SiC Power Module, 55 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH50N120-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2043954

Nr. stoc RS: 204-3954Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCTH50N120-7

Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

H2PAK-7

Montare

Surface

Numar pini

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.065Ω

Channel Mode

Enhancement

Tara de origine

China

Detalii Produs

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very tight variation of on-resistance vs.
temperature
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe

Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel SiC Power Module, 55 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH50N120-7

Selectati tipul de ambalaj

Standard

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel SiC Power Module, 55 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH50N120-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe

Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

H2PAK-7

Montare

Surface

Numar pini

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.065Ω

Channel Mode

Enhancement

Tara de origine

China

Detalii Produs

Very tight variation of on-resistance vs.
temperature
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe