Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1500V
Tip pachet
H2PAK
Series
MDmesh
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
9Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.3nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Lungime
10.4mm
Inaltime
4.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 9,10
€ 4,55 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 11,01
€ 5,506 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
2
€ 9,10
€ 4,55 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 11,01
€ 5,506 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
2
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 4,55 | € 9,10 |
| 20 - 98 | € 4,31 | € 8,62 |
| 100 - 198 | € 4,14 | € 8,28 |
| 200+ | € 3,56 | € 7,12 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1500V
Tip pachet
H2PAK
Series
MDmesh
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
9Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.3nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Lungime
10.4mm
Inaltime
4.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
