Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
18A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Tip pachet
TO-252
Series
STripFET
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
125mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
28nC
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Lungime
6.6mm
Inaltime
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 65,50
€ 1,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 79,26
€ 1,585 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 65,50
€ 1,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 79,26
€ 1,585 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,31 | € 6,55 |
| 250 - 495 | € 1,16 | € 5,80 |
| 500+ | € 0,99 | € 4,95 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
18A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Tip pachet
TO-252
Series
STripFET
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
125mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
28nC
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Temperatura minima de lucru
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Lungime
6.6mm
Inaltime
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalii Produs
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
