Vishay P-Channel MOSFET, 110 A, 60 V, 3-Pin D2PAK SUM110P06-08L-E3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.728,00
€ 2,16 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 2.056,32
€ 2,57 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
800
€ 1.728,00
€ 2,16 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 2.056,32
€ 2,57 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
800
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse