Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SOIC SI4090DY-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
ThunderFET
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
7.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45.6 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.450,00
€ 0,58 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.725,50
€ 0,69 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.450,00
€ 0,58 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.725,50
€ 0,69 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
ThunderFET
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
7.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45.6 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse