N-Channel MOSFET Transistor, 20 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4090DY-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
7.8 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45.6 nC @ 10 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.5mm
Serie
ThunderFET
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
2500
P.O.A.
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
7.8 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45.6 nC @ 10 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.5mm
Serie
ThunderFET
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse