Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
263 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Lungime
2.2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 8 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 15,50
€ 0,31 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 18,76
€ 0,375 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
€ 15,50
€ 0,31 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 18,76
€ 0,375 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
263 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Lungime
2.2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 8 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse