Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3

Nr. stoc RS: 710-3235Producator: VishayCod de producator: SI1912EDH-T1-E3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-363

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.05mm

Latime

1.25mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

0.9mm

Tara de origine

China

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3Producator: Vishay
€ 0,375Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3Producator: Vishay
€ 0,375Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-363

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

2.05mm

Latime

1.25mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

0.9mm

Tara de origine

China

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3Producator: Vishay
€ 0,375Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)