Vishay N-Channel MOSFET, 2.7 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 IRFL014TRPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.7mm
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.8mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 15,40
€ 0,77 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 18,63
€ 0,932 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
€ 15,40
€ 0,77 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 18,63
€ 0,932 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 0,77 | € 15,40 |
| 40 - 80 | € 0,61 | € 12,20 |
| 100 - 180 | € 0,53 | € 10,60 |
| 200 - 480 | € 0,49 | € 9,80 |
| 500+ | € 0,40 | € 8,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.7mm
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.8mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse