N-Channel MOSFET, 2.7 A, 55 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IRFL014NPBF

Nr. stoc RS: 178-1513Producator: InfineonCod de producator: IRFL014NPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.7 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Tip pachet

SOT-223

Montare

Surface Mount

Numar pini

3 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

160 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

3.7mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

1.7mm

Serie

HEXFET

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-Channel MOSFET, 2.7 A, 55 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IRFL014NPBF
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Vishay N-Channel MOSFET, 2.7 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 IRFL014TRPBF
€ 0,932Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

P.O.A.

Each (In a Tube of 80) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 2.7 A, 55 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IRFL014NPBF

P.O.A.

Each (In a Tube of 80) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 2.7 A, 55 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IRFL014NPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-Channel MOSFET, 2.7 A, 55 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IRFL014NPBF
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Vishay N-Channel MOSFET, 2.7 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 IRFL014TRPBF
€ 0,932Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.7 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Tip pachet

SOT-223

Montare

Surface Mount

Numar pini

3 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

160 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

3.7mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

1.7mm

Serie

HEXFET

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-Channel MOSFET, 2.7 A, 55 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IRFL014NPBF
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Vishay N-Channel MOSFET, 2.7 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 IRFL014TRPBF
€ 0,932Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)