N-Channel MOSFET Transistor, 13 A, 500 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba 2SK4012(Q)

Nr. stoc RS: 185-732PProducator: ToshibaCod de producator: 2SK4012(Q)
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

TO-220SIS

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

50 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10mm

Inaltime

8.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay N-Channel MOSFET, 6.6 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB7N50APBF
€ 3,68Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 13 A, 500 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba 2SK4012(Q)
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

N-Channel MOSFET Transistor, 13 A, 500 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba 2SK4012(Q)

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay N-Channel MOSFET, 6.6 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB7N50APBF
€ 3,68Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

TO-220SIS

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

50 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10mm

Inaltime

8.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay N-Channel MOSFET, 6.6 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB7N50APBF
€ 3,68Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)