STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 180 A, 80 V, 7-Pin H2PAK-6 STH270N8F7-6
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serie
STripFET H7
Tip pachet
H2PAK-6
Montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
21 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
315 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
15.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
193 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
2
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serie
STripFET H7
Tip pachet
H2PAK-6
Montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
21 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
315 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
15.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
193 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse