STMicroelectronics STGW60H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
80A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
375W
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Temperatura maxima de lucru
175°C
Serie
H
Inaltime
20.15mm
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 5,04
€ 5,04 Buc. (fara TVA)
€ 6,10
€ 6,10 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 5,04
€ 5,04 Buc. (fara TVA)
€ 6,10
€ 6,10 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 5,04 |
| 5 - 9 | € 4,73 |
| 10 - 24 | € 4,22 |
| 25 - 49 | € 3,77 |
| 50+ | € 3,53 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
80A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
375W
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Temperatura maxima de lucru
175°C
Serie
H
Inaltime
20.15mm
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse