STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 29 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
29A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Tip pachet
TO-220FP
Montare
Through Hole
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Switching Speed
3.8μs
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.75V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Inaltime
10.4mm
Lungime
30.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
Low Drop
Energy Rating
8mJ
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 12,50
€ 1,25 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 15,12
€ 1,512 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
€ 12,50
€ 1,25 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 15,12
€ 1,512 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
10
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
29A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Tip pachet
TO-220FP
Montare
Through Hole
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Switching Speed
3.8μs
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.75V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Inaltime
10.4mm
Lungime
30.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
Low Drop
Energy Rating
8mJ
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse