STMicroelectronics, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
10A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Temperatura minima de lucru
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
2.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
H
Lungime
6.6mm
Energy Rating
221mJ
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 32,50
€ 0,65 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 39,32
€ 0,786 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 32,50
€ 0,65 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 39,32
€ 0,786 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,65 | € 6,50 |
| 100 - 240 | € 0,58 | € 5,80 |
| 250 - 490 | € 0,52 | € 5,20 |
| 500+ | € 0,49 | € 4,90 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
10A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Tip pachet
TO-252
Montare
Surface
Channel Type
Type N
Numar pini
3
Temperatura minima de lucru
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Inaltime
2.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
H
Lungime
6.6mm
Energy Rating
221mJ
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse