Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.94mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 13,00
€ 0,13 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 15,73
€ 0,157 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 13,00
€ 0,13 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 15,73
€ 0,157 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,13 | € 3,25 |
| 250 - 475 | € 0,11 | € 2,75 |
| 500 - 975 | € 0,10 | € 2,50 |
| 1000+ | € 0,09 | € 2,25 |
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.94mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs


