onsemi N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2V7002KT1G
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.01mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 60,00
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 72,60
€ 0,073 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
1000
€ 60,00
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 72,60
€ 0,073 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 1000 - 1800 | € 0,06 | € 12,00 |
| 2000+ | € 0,05 | € 10,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.01mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse