Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138BK,215
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.48V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,00
€ 0,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 6,05
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 5,00
€ 0,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 6,05
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,05 | € 2,50 |
| 250 - 450 | € 0,05 | € 2,50 |
| 500 - 950 | € 0,05 | € 2,50 |
| 1000+ | € 0,04 | € 2,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.48V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse