Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6327XTSA1

Nr. stoc RS: 827-0027Producator: InfineonCod de producator: BSS670S2LH6327XTSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

540 mA

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

OptiMOS™

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

825 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-Channel MOSFET Transistor, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS670S2L
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

€ 42,50

€ 0,17 Buc. (Pe o rola de 250) (fara TVA)

€ 51,42

€ 0,206 Buc. (Pe o rola de 250) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6327XTSA1

€ 42,50

€ 0,17 Buc. (Pe o rola de 250) (fara TVA)

€ 51,42

€ 0,206 Buc. (Pe o rola de 250) (cu TVA)

Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6327XTSA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
250 - 250€ 0,17€ 42,50
500 - 1000€ 0,09€ 22,50
1250 - 2250€ 0,08€ 20,00
2500 - 6000€ 0,07€ 17,50
6250+€ 0,07€ 17,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-Channel MOSFET Transistor, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS670S2L
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

540 mA

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

OptiMOS™

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

825 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-Channel MOSFET Transistor, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS670S2L
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)