N-Channel MOSFET Transistor, 540 mA, 55 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS670S2L
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
650 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
50
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
650 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse