Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Curent iesire
18.5A
Numar pini
3
Fall Time
40ns
Tip pachet
TO-220
Driver Type
MOSFET
Rise Time
27ns
Tensiune de alimentare minima
3V
Tensiune de alimentare maxima
30V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Temperatura maxima de lucru
150°C
Lungime
15.75mm
Inaltime
34.95mm
Standards/Approvals
No
Montare
Through Hole
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii Produs
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 214,00
€ 4,28 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 258,94
€ 5,179 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 214,00
€ 4,28 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 258,94
€ 5,179 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
Documente Tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Curent iesire
18.5A
Numar pini
3
Fall Time
40ns
Tip pachet
TO-220
Driver Type
MOSFET
Rise Time
27ns
Tensiune de alimentare minima
3V
Tensiune de alimentare maxima
30V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Temperatura maxima de lucru
150°C
Lungime
15.75mm
Inaltime
34.95mm
Standards/Approvals
No
Montare
Through Hole
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Detalii Produs
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
