Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ, 140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,00
€ 0,60 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,714 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
€ 12,00
€ 0,60 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,714 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,60 | € 12,00 |
| 200 - 480 | € 0,51 | € 10,20 |
| 500 - 980 | € 0,47 | € 9,40 |
| 1000 - 1980 | € 0,44 | € 8,80 |
| 2000+ | € 0,41 | € 8,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ, 140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse