Dual N/P-Channel MOSFET, 3.7 A, 7.2 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4511DY-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A, 7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ, 50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, -12 V, +12 V, +16 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 10 V, 17 nC @ 10 V
Latime
4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.55mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
Standard
10
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A, 7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ, 50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, -12 V, +12 V, +16 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 10 V, 17 nC @ 10 V
Latime
4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.55mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse