N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
15.95mm
Serie
OptiMOS 3
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
15.95mm
Serie
OptiMOS 3
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse