IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 50 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IXTP50N20P
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-220
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
360 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.66mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Latime
4.83mm
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 51,60
€ 5,16 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 61,40
€ 6,14 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
€ 51,60
€ 5,16 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 61,40
€ 6,14 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 10 - 24 | € 5,16 |
| 25+ | € 4,40 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-220
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
360 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.66mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Latime
4.83mm
Inaltime
9.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse