Vishay Dual P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 55,00
€ 1,10 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 65,45
€ 1,309 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 55,00
€ 1,10 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 65,45
€ 1,309 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,10 | € 5,50 |
| 250 - 495 | € 0,89 | € 4,45 |
| 500 - 1245 | € 0,73 | € 3,65 |
| 1250+ | € 0,66 | € 3,30 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse