Dual P-Channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4948BEY-T1-E3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
5mm
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.55mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
5
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
5mm
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.55mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse