N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB11N80AE-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
E
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.391 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2 → 4V
Number of Elements per Chip
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 47,50
€ 0,95 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 56,52
€ 1,13 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 47,50
€ 0,95 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 56,52
€ 1,13 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serie
E
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.391 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2 → 4V
Number of Elements per Chip
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse