Vishay N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7850DP-T1-E3

Nr. stoc RS: 710-4764Producator: VishayCod de producator: SI7850DP-T1-E3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PowerPAK SO-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.89mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Inaltime

1.04mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 10.3A, 4.55W, SO-8
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 10.3A, 4.55W, SO-8Producator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)

€ 10,15

€ 2,03 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 12,28

€ 2,456 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7850DP-T1-E3
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 10,15
10€ 20,30
15€ 30,45
20€ 40,60
25€ 50,75
30€ 60,90
35€ 71,05
40€ 81,20
45€ 91,35
50€ 85,50
55€ 94,05
60€ 102,60
65€ 111,15
70€ 119,70
75€ 128,25

€ 10,15

€ 2,03 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 12,28

€ 2,456 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7850DP-T1-E3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 10,15
10€ 20,30
15€ 30,45
20€ 40,60
25€ 50,75
30€ 60,90
35€ 71,05
40€ 81,20
45€ 91,35
50€ 85,50
55€ 94,05
60€ 102,60
65€ 111,15
70€ 119,70
75€ 128,25

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 2,03€ 10,15
50 - 120€ 1,71€ 8,55
125 - 245€ 1,47€ 7,35
250 - 495€ 1,20€ 6,00
500+€ 0,94€ 4,70

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 10.3A, 4.55W, SO-8
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 10.3A, 4.55W, SO-8Producator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PowerPAK SO-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.89mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Inaltime

1.04mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 10.3A, 4.55W, SO-8
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 10.3A, 4.55W, SO-8Producator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)