Vishay N-Channel MOSFET, 200 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 SI1032R-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
0.86mm
Lungime
1.68mm
Typical Gate Charge @ Vgs
750 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 360,00
€ 0,12 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 428,40
€ 0,143 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 360,00
€ 0,12 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 428,40
€ 0,143 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
0.86mm
Lungime
1.68mm
Typical Gate Charge @ Vgs
750 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse