Texas Instruments N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS

Nr. stoc RS: 827-4919PProducator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD19536KCS
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

259 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

NexFET

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

118 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

16.51mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 98,54

€ 3,79 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 117,26

€ 4,51 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Texas Instruments N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

26

Disponibil in multiplu de 2
26€ 98,54
28€ 106,12
30€ 113,70
32€ 121,28
34€ 128,86
36€ 136,44
38€ 144,02
40€ 151,60
42€ 159,18
44€ 166,76
46€ 174,34
48€ 181,92
50€ 189,50
52€ 197,08
54€ 204,66

€ 98,54

€ 3,79 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 117,26

€ 4,51 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Texas Instruments N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 2.

Productie -

Disponibil in multiplu de 2.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

26

Disponibil in multiplu de 2
26€ 98,54
28€ 106,12
30€ 113,70
32€ 121,28
34€ 128,86
36€ 136,44
38€ 144,02
40€ 151,60
42€ 159,18
44€ 166,76
46€ 174,34
48€ 181,92
50€ 189,50
52€ 197,08
54€ 204,66

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

259 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

NexFET

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

118 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

16.51mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe