Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19534KCS
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
NexFET
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
16.51mm
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,05
€ 1,61 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,58
€ 1,916 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 8,05
€ 1,61 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,58
€ 1,916 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,61 | € 8,05 |
| 25 - 45 | € 1,24 | € 6,20 |
| 50+ | € 1,20 | € 6,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
NexFET
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
16.51mm
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse