Taiwan Semi N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 TSM2302CX RFG

Nr. stoc RS: 398-423PProducator: Taiwan SemiconductorCod de producator: TSM2302CX RFG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

900 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

3.69 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.05mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.95mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor

MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Taiwan Semi N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 TSM2302CX RFG
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Taiwan Semi N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 TSM2302CX RFG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

900 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

3.69 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.05mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.95mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor

MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe